型号:SIR802DP-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 30A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 5 毫欧 @ 10A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 32nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1785pF @ 10V |
功率_最大 | 27.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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